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FUNCTIONAL WET CHEMICALSBroad Products in Advanced Technology

Functional wet chemicals are formulated wet chemicals to achieve specific functions in semiconductor manufacturing. At present, Anji offers post-etch residue remover (PERR), photoresist stripper, post CMP cleaning solution and etchant. PERR, photoresist stripper and post CMP cleaning are used in volume production in 8 inch and 12 inch integrated circuit (IC) manufacturing process.

Post Etch Residue Remover (PERR)
Al PERR
The product is for metal, via and pad post etch residue removal of IC AlCu interconnect process with excellent post etch residue removal capability and low cost.
Cu PERR
The product is for IC BEOL Cu post etch clean used in 90nm-40nm logic, 3D NAND, DRAM, CIS and Cu reveal clean of 2.5D/3D process with excellent residue removal capability, low defectivity and cost.-40nm技术节点、3D NAND、DRAM等存储芯片、CIS等特色工艺及2.5D/3D工艺量产。
TiN Hard Mask (HM) Cu PERR
The product is for IC BEOL TiN hard mask Cu post etch residue removal of 28nm and beyond technology with high TiN/Cu selectivity and excellent post etch residue removal capability.
Selective Etchant
The product is for SiGe, Si, SiN, Polysilicon etc. materials selective etching to meet special process requirements in IC different technology node.
刻蚀后清洗液
用于集成电路大马士革工艺、硅通孔、先进封装凸点及再分布线等工艺,提供高纯铜电镀方案。产品在先进封装已经批量量产,集成电路大马士革工艺及硅通孔工艺验证中。
刻蚀后清洗液
用于集成电路大马士革工艺、硅通孔、先进封装凸点及再分布线等工艺,提供高纯铜电镀方案。产品在先进封装已经批量量产,集成电路大马士革工艺及硅通孔工艺验证中。
化学机械抛光液全品类产品矩阵

化学机械抛光是集成电路芯片制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺,化学机械抛光液是化学机械抛光工艺过程中使用的主要化学材料。根据抛光对象不同,公司化学机械抛光液包括铜及铜阻挡层抛光液、介电材料抛光液、钨抛光液、基于氧化铈磨料的抛光液、衬底抛光液和用于新材料新工艺的抛光液等产品。目前公司铜及铜阻挡层系列化学机械抛光液,可以满足国内芯片制造商的需求,并已在海外市场实现突破;其他系列化学机械抛光液已供应国内外多家芯片制造商,具体生产规模会根据客户需求量进行调节。

刻蚀后清洗液
铝刻蚀后清洗液
产品应用于集成电路铝制程工艺金属线、通孔及金属焊盘(pad)蚀刻残留物去除,提供优异的蚀刻残留物去除能力、低成本。产品已在8英寸及12英寸逻辑芯片、存储芯片等领域量产。
铜刻蚀后清洗液
应用于集成电路铜互连大马士革工艺蚀刻残留物去除。产品具有优异的蚀刻残留物去除能力、低缺陷、低成本。产品已经在逻辑芯片90nm-40nm技术节点、3D NAND、DRAM等存储芯片、CIS等特色工艺及2.5D/3D工艺量产。
TiN硬掩模刻蚀后清洗液
用于集成电路28nm及以下先进工艺大马士革工艺,提供TiN 硬掩模去除及刻蚀后聚合物清洗方案,产品已经批量量产。
选择性刻蚀液
用于特殊工艺需求,提供SiGe/Si/SiN/Poly等不同材料的选择性刻蚀方案。
刻蚀后清洗液
用于集成电路大马士革工艺、硅通孔、先进封装凸点及再分布线等工艺,提供高纯铜电镀方案。产品在先进封装已经批量量产,集成电路大马士革工艺及硅通孔工艺验证中。
刻蚀后清洗液
用于集成电路大马士革工艺、硅通孔、先进封装凸点及再分布线等工艺,提供高纯铜电镀方案。产品在先进封装已经批量量产,集成电路大马士革工艺及硅通孔工艺验证中。